[填空题] CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。

[填空题] CZ直拉法的目的是（）。

[填空题] 影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。

[填空题] 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、（）和（）。

[填空题] 根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）、（）和（）。

[填空题] 热氧化工艺的基本设备有三种（）、（）和（）。

[填空题] 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。

[填空题] 列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。

[填空题] 选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。

[填空题] 目前常用的CVD系统有（）、（）和（）。

[填空题] 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。

[填空题] 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。

[填空题] 刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

[填空题] 随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。

[填空题] 扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态（）扩散、（）扩散和（）扩散。

[填空题] 刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

[填空题] 硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。

[填空题] 热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。

[填空题] 集成电路的发展时代分为（）、中规模集成电路MSI、（）、超大规模集成电路VLSI、（）。

[填空题] 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。